Переключающее устройство на гетероструктуре ZnTe--GaN
Дрижук А.Г.1, Сидоров В.Г.1, Сидоров Д.В.1, Шагалов М.Д.1
1Вологодский политехнический институт
Поступила в редакцию: 27 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
На основе светодиодной M-i-n-GaN-структуры при нанесении на нее слоя ZnTe изготовлено бистабильное устройство, в котором переключение осуществляется внешним импульсом напряжения, а устойчивые состояния запоминаются цветом излучения. Приведены характеристики устройства и принцип его работы.
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (6). С. 67--71
- Радауцан С.И., Цуркан А.Е., Шемякова Т.Д. // Тез. докл. IV Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1975. С. 93
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (13). С. 33--36
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук