Эффективность и надежность излучающих металл--диэлектрик--полупроводник-структур на основе широкозонных полупроводников с униполярной проводимостью
Сидоров В.Г.1, Дрижук А.Г.1, Сидоров Д.В.1
1Вологодский политехнический институт
Поступила в редакцию: 27 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Рассмотрена возможность увеличения эффективности и надежности источника излучения, изготавливаемых на основе полупроводников с униполярной проводимостью и работающих в условиях сильных электрических полей. Для этого активная область структуры изготовлена в виде чередующихся слоев различного сопротивления так, что области сильных полей пространственно отделены от областей генерации люминесценции. Предложенная идея практически реализована на M-i-n-структурах из нитрида галлия. Приведены характеристики изготовленных светодиодных структур.
- Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974. 279 с
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (6). С. 67--71
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (7). С. 50--52
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (12). С. 23--25
- Дрижук А.Г., Зайцев М.В., Сидоров В.Г., Сидоров Д.В. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22 (13). С. 33--36
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук