Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование спонтанного и когерентного излучения в диапазоне длин волн 3/ 4 mum в лазерной структуре на основе InGaAsSb/AlGaSbAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 16 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.
Впервые получено когерентное излучение в спектральном диапазоне 3/ 4mum в двойной гетероструктуре на основе InGaAsSb/AlGaSbAs, выращенной на подложке GaSb. Показано, что спонтанное и когерентное излучение генерируется в основном на межзонных переходах в узкозонном InGaAsSb слое. Установлено, что оптическое ограничение электромагнитной волны достаточно для работы лазера до температуры 120 K при питании меандром.
- Баранов А.Н., Данилова Т.Н., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 6--9
- Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Попов А.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 7. С. 1244--1250
- Данилова Т.Н., Евсеенко О.И., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1997. Т. 31. В. 6
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
