Характер зависимости времен жизни электронов и дырок от концентрации основной рекомбинационной примеси при наличии побочных центров захвата носителей
Холоднов В.А.1, Серебренников П.С.1
1Теоретический отдел Государственного научного центра Российской Федерации НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 30 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.
Показано, что эффект сильного роста времен жизни носителей с ростом в некотором диапазоне значений концентрации рекомбинационной примеси может реализоваться и при наличии побочной (фоновой) глубокой примеси. Могут возникнуть даже два максимума.
- Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 1. С. 23--27
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid-St. Electron. 1995. V. 38. N 6. P. 1247--1252
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. N 6. С. 1011--1025
- Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 600 с
- Блейкмор Дж. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 608 с
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Proceed. of International Semicond. Device Research Symp. Charlottesville. USA. 1995. V. 1. P. 197--200
- Холоднов В.А., Другова А.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 2. С. 80--87
- Chacham-Diamandy J., Kidron I. // Infr. Phys. 1981. V. 21. N 2. P. 105--115
- Beneking H. // IEEE Trans. on Elec. Devic. 1982. V. ED-29. N 9. P. 1420--1430
- Rogalski A. with contrib. by Kimata M., Kocherov V.F., Piotrovski J., Sizov F.F., Taubkin I.I., Tubouchi N., Zaletaev N.B. Infrared photon detectors. Bellingham-Washington USA: SPIE Optical Engineering Press, 1995. 644 p
- Холоднов В.А., Серебренников П.С. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 7. С. 39--45
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук