Вышедшие номера
Теоретическое описание высокотемпературной имплантации карбида кремния ионами N+ и Al+
Куликов Д.В.1, Трушин Ю.В.1, Янков Р.А.1, Пецольдт Й.1, Скорупа В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Исследовательский центр Россендорф, Дрезден, Германия Технический университет Ильменау, Ильменау, Германия
Поступила в редакцию: 28 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

Теоретически исследовалась эволюция дефектной структуры в карбиде кремния (6H-SiC) при имплантации ионами N+ и Al+ разных энергий. Получено удовлетворительное согласие рассчитанных распределений дефектов и экспериментальных данных. Численно оценены следующие кинетические параметры карбида кремния: энергия миграции межузельных атомов кремния, параметры рекомбинации вакансий и межузлий в подсистемах углерода и кремния.