Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О возможности улучшения структурного совершенства новых гетеропар GaAs--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Ge--(Ge2)1-x(ZnSe)x, GaP--(Ge2)1-x(ZnSe)x, Si--(Ge2)1-x(ZnSe)x
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 30 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
На основе морфологических исследований, а также изучения растровых картин и дифракционных спектров гетероструктур GaAs-(Ge2)1-x(ZnSe)x, Ge-(Ge2)1-x(ZnSe)x, GaP-(Ge2)1-x(ZnSe)x, Si-(Ge2)1-x(ZnSe)x показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии. Показано, что зеркально-гладкие эпитаксиальные слои (Ge2)1-x(ZnSe)x с наименьшими напряженностями можно получить на подложках GaAs (100) и Ge (111).
- Саидов А.С., Сапаров Д.В., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Рысаева В.А. // Тез. докл. Междунар. науч.-техн. конф. "Новые неорганические материалы". Ташкент, 18--20 сентябрь 1996 г. С. 98
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Сапаев Б., Ковардакова Г.Н. // ДАН Уз ССР. 1988. N 2. С. 26--27
- Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников К.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Узб. физ. жур. 1997. N 1. С. 16--17
- Абдикамалов Б.А., Аташов Б., Дуйсенбаев М.Д., Ерназаров У.К. // Тез. док. II Междунар. конф. "Многослойные, варизонные, периодические полупроводниковые структуры и приборы на их основе". Нукус, 28--30 сентября 1993 г. С. 17--18
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
