Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 6 » Статья стр. 1
>>>
Прямое сращивание кремниевых пластин с диффузионным слоем
Воронков В.Б.1, Гук Е.Г.1, Козлов В.А.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1998 г.
PDF версия
Впервые показана возможность твердофазного прямого сращивания кремниевых пластин, имеющих диффузионные слои p+- либо n+-типа с высокой поверхностной концентрацией примеси.
  1. Lasky J.B. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. N 1. P. 78--80
  2. Shimbo M., Furukawa K., Fukuda K., Tanzava K. // J. Appl. Phys. 1986. V. 50. P. 2987--2991
  3. Bengtsson S. // Journal of El. Mat. 1992. V. 21. N 8. P. 841--862
  4. Abe T., Steigmeier E.F., Hagleiter W., Allan A.J. // Jap. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. N 3. P. 721--728
  5. Гук Е.Г., Зимогорова Н.С., Шварц М.З., Шуман В.Б. // ЖТФ. 1997. Т. 67. N 2. С. 129--131
  6. Kozlov V.A., Eremin V.K., Shulpina I.L., Voronkov V.B., Ivanov A.M., Eliseyev V.V., Chibirkin V.V. In High Purity Silicon IV, eds C.L. Claeys, P. Rai-Choudhury, P. Stallhofer and J.M. Maurits, The Electrochem. Soc. Ser., Pennington, PV 96--13, 1996, P. 369-378
  7. Гук Е.Г., Ельцов А.В., Шуман В.Б., Юрре Т.А. Фоторезисты--диффузанты в полупроводниковой технологии. Наука, Л., 1984. 116 с
  8. Grekhov I.V., Kozlov V.A., Volle V.A., Voronkov V.B. Best of Soviet Semicond. Phys. and Technol. 1989--1990, Ed. by M. Levinstein and M. Shur, World, Scientific, 1995. P. 597--599

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme