Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного пленками оксидов редкоземельных элементов. Пленки оксидов редкоземельных элементов получали методом термического резистивного распыления редкоземельного металла с последующим термическим оксилением полученного слоя на воздухе при температуре 400^oC. Установлено, что после нанесения пленки оксида редкоземельного элемента эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид редкоземельного элемента, которые для различных оксидов редкоземельных элементов имели значения 290-730 cm/s. Сочетание высокой оптической прозрачности исследованных материалов и низких рекомбинационных потерь в кремнии, покрытом пленкой оксида редкоземельного элемента, позволяет рекомендовать пленки оксидов редкоземельных элементов в качестве оптических просветляющих и пассивирующих покрытий для кремниевых фотоэлектрических приборов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.