Сообщается о получении чистого, нелегированного, высокотемпературного GaP, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Приведены результаты исследований p-n-структур GaP, выращенных при различных температурах начала кристаллизации, с помощью вольт-фарадного метода (C-V) и нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Полученные характеристики GaP определяются низким уровнем концентрации фоновой примеси и дефектов с глубокими уровнями. Измерения температурной зависимости прямой ветви вольт-амперной характеристики показали, что термометрическая характеристика диода линейна в диапазоне температур от -191 до ~ +600^oC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.