Рабочие характеристики и их анизотропия в мощном лазере (1.5 W, 300 K) с активной областью на основе квантовых точек
Шерняков Ю.М.1, Егоров А.Ю.1, Воловик Б.В.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Лунев А.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Сахаров А.В.1, Устинов В.М.1, Чжэнь Чжао1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Бимберг Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Технический Университет г. Берлина, Берлин, Германия
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
Продемонстрирован непрерывный режим генерации лазера на основе вертикально-связанных квантовых точек с высокой выходной мощностью (1.5 W) при комнатной температуре. Показано, что анизотропия формы квантовых точек приводит к анизотропии рабочих характеристик лазеров.
- Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Maximov M.V., Tabatadze I.G., Kop'ev P.S. // Semiconductors. 1994. V. 28. P. 832--834
- Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Ledentsov N.N., Maksimov M.V., Ustinov V.M. // Semiconductors. 1994. V. 28. P. 809--811
- Kirstaedter N., Ledentsov N.N., Grundmann M., Bimberg D., Richter U., Ruvimov S.S., Werner P., Heydenreich J., Ustinov V.M., Maximov M.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. Electronics Letters. 1994. V. 30. P. 1416
- Maximov M.V., Shernyakov Yu.M., Ledentsov N.N., Tsatsul'nikov A.F., Zhen Zhao, Lunev A.V., Sakharov A.V., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D. Extended Abstracts of the Annual International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, 1997. P. 202--205
- Lott J.A., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D. Electronics Letters. 1997. V. 33. P. 1150--1151
- Alferov Zh.I., Gordeev N.Yu., Zaitsev S.V., Kop'ev P.S., Kochnev I.V., Komin V.V., Krestnikov I.L., Ledentsov N.N., Lunev A.V., Maximov M.V., Ruvimov S.S., Sakharov A.V., Tsatsul'nikov A.F., Shernyakov Yu.M., Bimberg D. Fizika i Tekhn. Poluprovodn. 1996. V. 30. P. 357--363. Semiconductors. 1996. V. 30. P. 197--200
- Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Kirstaedter N., Bohrer, Schmidt O., Bimberg D., Zaitsev S.V., Ustinov V.M., Zhukov A.E., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Kosogov A.O., Ruvimov S.S., Werner P., Gosele U., Heydenreich J. Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 8743--8750
- Tsatsul'nikov A.F., Ledentsov N.N., Maximov M.V., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Ruvimov S.S., Ustinov V.M., Komin V.V., Kochnev I.V., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Bimberg D. Semiconductors. 1996. V. 30. P. 938--943. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 1996. V. 30. P. 1793--1804
- Zhukov A.E., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Kovsh A.R., Tsatsul'nikov A.F., Ledentsov N.N., Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu.,, Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. International Symposium on Formation. Physics and Device Application of Quantum Dot Structures. November 4--7, 1996. Hokkaido University Conference Hall, Sapporo, Japan. - Jap. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part 1. P. 4216--4218
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук