Лазерное внедрение примесей в кристаллы теллурида кадмия
Зеленина Н.К.1, Матвеев О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Исследовались процессы лазерного внедрения мелких доноров (алюминия и индия) и акцептора (сурьмы) в кристаллы CdTe (n,p~ 1015 cm-3). Напыленные в вакууме на травленую поверхность кристаллов тонкие пленки легирующей примеси облучались рубиновым (lambda=0.694 mum) и Nd : YAG (lambda=1.06 mum) импульсным (длительностью импульса 20 ns) лазером в широком интервале энергий (0.1-1.8 J/cm2). Исследование облученных поверхностей производилось методами рентгеновского микроанализа, Оже-спектроскопии, термоэдс. Показано, что облучение Nd : YAG лазером приводит к однородному легированию алюминием приповерхностного слоя кристалла. При внедрении индия образуются преципитаты. Концентрация внедренных примесей достигает 1019-1021 cm-3.
- Tokuayama T. // Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. by C.W. White and P.S. Peercy. Academic Press, New York. 1980. P. 608--620
- Narayan J. // Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. by C.W. White and P.S. Peercy. Academic Press, New York. 1980. P. 397--411
- Акобирова А.Т., Матвеев О.А., Рывкин С.М., Хусаинов А.Х. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 11. С. 2127--2132
- Bell R.O., Toulermonde M., Siffert P. // J. Appl. Phys. 1979. V. 19. P. 313--319
- Шульгина И.Л., Зеленина Н.К., Матвеев О.А. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 1. С. 66--70
- Yokozava M., Otsuka S., Takayanogy S. // Japan J. Appl. Phys. 1965. V. 4. P. 1018--1025
- Astles M., Blackmore J., Gordon N., White D.R. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. P. 1--2, 61--71
- Morehead F. // Laser and Electron Beam Processing of Materials / Ed. by C.W. White and P.S. Peercy. Academic Press, New York, 1980. P. 145
- Емельянов В.И., Кашкаров П.К. // Поверхность. 1990. Т. 2. С. 77--85
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.