Фотопропускание на связанных экситонах в GaP(N) и GaAs1-xPx(N)
Ивкин А.Н.1, Пихтин А.Н.1
1С.-Петербургский государственный электротехнический университет
Поступила в редакцию: 23 сентября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
На экситонах, связанных на атомах азота в эпитаксиальных слоях GaP(N) и GaAs1-xPx(N), наблюдались дифференциальные спектры фотопропускания, вызванные эффектом Штарка в приповерхностном поле полупроводника.
- Glembocki O.J., Shanabrook B.V., Bottka N. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 10. P. 970--972
- Пихтин А.Н., Тодоров М.Т. // ФТП. Т. 28. В. 6. С. 1068--1075
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. O. Madelung. Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New-York, 1982. V. 17a. 348 p
- Глинский Г.Ф., Пихтин А.Н. // ФТП. 1975. Т. 9. В. 11. С. 2139--2145
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук