Экспериментальное исследование температурной стабильности датчиков магнитного поля на основе кристаллов Bi12SiO20
Потапов Т.В.1
1Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинская часть)
Поступила в редакцию: 15 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Экспериментально исследованы температурные характеристики коэффициента преобразования чувствительного элемента волоконно-оптического датчика магнитного поля на основе кристалла Bi12SiO20. Создан макет чувствительного элемента датчика магнитного поля, температурный дрейф коэффициента преобразования которого составляет ~ 0.15% в интервале изменения температур от +15 до +70oC.
- Mitsui T., Hosoe K., Usami H., Miyamoto S. // IEEE Trans. of Power Del. V. PWRD-2. N 1. January 1987
- Yamagata Y., Oshi T., Katsukawa H., Kato S., Sakurai Y. // IEEE Trans. of Power Del. V. 8. N 3. July 1993
- Van den Tempel C.M.M. // Appl. Opt. V. 32. N 25. 1 September 1993
- Потапов Т.В. Температурная стабилизация магнитооптической модуляции в кристаллах со структурой силленита. / Препринт ИРЭ РАН N 5 (619). М.: ИРЭ РАН, 1997
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук