Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 12 » Статья стр. 50
<<<>>>
Электролюминесценция квантово-размерных структур на основе гетеропереходов II типа InAs/GaSb
Моисеев К.Д.1, Мельцер Б.Я.1, Соловьев В.А.1, Иванов С.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
PDF версия
Исследованы электролюминесцентные свойства квантово-размерных диодных структур на основе разъединенных гетеропереходов II типа в системе InAs/GaSb, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InAs. Электролюминесценция наблюдалась в спектральном диапазоне 3-4 mum при T=77 K. Обнаружено существование полос излучения, обусловленных рекомбинационными переходами с участием электронов с уровней размерного квантования как из самосогласованных квантовых ям на гетерогранице II типа InAs/GaSb, так и из прямоугольных квантовых ям в короткопериодных сверхрешетках.
  1. Yakovlev Yu.P., Danilova T.N., Imenkov A.N., Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Ershov O.G., Sherstnev V.V. // Proc. of the 23 ISCS. St. Petersburg, September 28--30, 1996. P. 551
  2. Choi H.K., Turner G.W., Kurt S.R. // Appl. Pys. Lett. 1994. V. 65 (18). P. 2251
  3. Zhang Y.H. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (2). P. 118
  4. Lin C.H., Yang R.O., Zhang D., Murry S.J., Pei S.S., Allerman A.A., Kurts S.R. // Electr. Lett. 1997. V. 33 (7). P. 598
  5. Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Ершов О.Г., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30 (6). С. 985
  6. Baranov A.N., Bertru N., Cumina Y., Boissier G., Alibert C., Joullie A. // Appl. Phys. Lett. 1997. (to be published)
  7. Ivanov S.V., Kurinkiev B.K., Ledentsov N.N., Meltser B.Ya., Monakhov A.A., Rogachev A.A., Shaposhnikov S.V., Kop'ev P.S. // Workbook of 6th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Garmish-Partenkirhen, 1993. P. 1047; Kop'ev P.S., Meltser B.Ya., Ivanov S.V., Rogachev A.A., Shaposhnikov S.V. // Proc. of the VIII International Conference on Molecular Beam Epitaxy. Osaka, 1994. P. 542
  8. Tuttle G., Kroemer H., English J.H. // Appl. Phys. 1990; V. 67. P. 3032; Wang P.D., Ledentsov N.N., Sotomayor Torres C.M., Ivanov S.V., Meltser B.Ya., Kop'ev P.S. // Solid State Communications. 1994. V. 91 (5). P. 361
  9. Neklyudov P.V., Ivanov S.V., Meltser B.Ya., Kop'ev P.S. // Semiconductors 1997. V. 31 (10). P. 1067
  10. Mikhailova M.P., Zegrya G.G., Moiseev K.D., Yakovlev Yu.P. // Solid State Electronics. 1996. V. 40 (1--8). P. 673
  11. Bastard G. // Phys. Rev. B. 1981. V. 24. P. 5693

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme