Деградационно-релаксационные явления в светоизлучающих p-n-структурах на основе фосфида галлия, стимулированные ультразвуком
Гонтарук А.Н.1, Корбутяк Д.В.1, Корбут Е.В.1, Мачулин В.Ф.1, Олих Я.М.1, Тартачник В.П.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 10 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.
Исследованы процессы, происходящие в светодиодах фосфида галлия, подвергнутых ультразвуковой обработке. Обнаружено, что в поле ультразвуковой волны интенсивность свечения диодов монотонно уменьшается; после прекращения действия ультразвука наблюдается постепенное восстановление интенсивности излучательной рекомбинации. Деградационные явления возникают в результате разрушающего воздействия ультразвука на связанные экситоны и возникновения неравновесных при комнатной температуре дислокационных скоплений.
- Здебский А.П., Миронюк Н.В., Остапенко С.С. и др. // ФТП. 1986. Т. 10. В. 10. С. 1861--1867
- Островский И.В. Акустолюминесценция и дефекты кристаллов. Киев: Вища школа, 1993. С. 223
- Здебский А.П., Шейнкман М.К., Анниязов А.Н. и др. // ФТТ. 1987. Т. 29. В. 4, С. 1135--1140
- Олих Я.М., Шавлюк Ю.Н. // ФТТ. 1996. Т. 38. N 11. С. 3365--3371
- Здебский А.П., Корчная В.Л., Торчинская Т.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 2. С. 76--81
- Браиловский Е.Ю., Здебский А.П., Семенова Г.И. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 21. В. 4. С. 80--84
- Браиловский Е.Ю. Радиационное дефектообразование в широкозонных полупроводниках и гетероструктурах на их основе. Автореф. докт. дис. Киев, 1986. 276 с
- Brantleu W.A., Lorimor O.I., Dapkus P.D. et al. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. N 6. P. 2629--2637
- Локтев В.М., Халак Ю.М. // УФЖ. 1997. Т. 42. В. 3. С. 343--352
- Вернидуб Р.М., Олих Я.М., Тартачник В.П. и др. // УФЖ. 1995. Т. 40. В. 8. С. 886--890
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
