Вышедшие номера
Самоорганизованные наноразмерные кластеры InP и InAsP, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Коваленков О.В.1, Лившиц Д.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Представлены результаты исследований по выращиванию самоорганизующихся наноразмерных кластеров InP и InAsP в матрице In0.5Ga0.5P. Характеризация структуры проводилась методами низкотемпературной фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Фотолюминесцентные измерения показали высокую эффективность излучательной рекомбинации от квантовых точек и высокое оптическое совершенство полученных структур. Средняя плотность и размер InP кластеров, определенные по результатам ПЭМ измерений, составляют соответственно 3· 109 cm-2 и 80 nm.