Низкотемпературная фотолюминесценция твердых растворов InGaP, облученных тяжелыми ионами
Бхаттачарья Д.1, Винокуров Д.А.1, Гусинский Г.М.1, Елюхин В.А.1, Коваленков О.В.1, Кютт Р.Н.1, Марш Д.1, Найденов В.О.1, Портной Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург Glasgow University, Glasgow G12 8QQ, Scotland, UK
Поступила в редакцию: 3 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Анализ спектров фотолюминесценции (ФЛ) образцов твердых растворов In(0.5)Ga(0.5)P до и после имплантации их высокоэнергетичными ионами азота дозами 1011-5·1012 cm-2 показывает, что в имплантированных (и отожженных) образцах ФЛ может быть результатом формирования фактически одномерных полупроводниковых структур на местах одиночных треков ионов.
- Naidenov V.O., Gusinsky G.M., Elukhin V.A., Portnoy E.L., Marsh J.H. // Abstr. of 10th Intern. Conf. on Surface Modification of Metals by Ion Beams. Gatlinburg, Tennessee, USA, 1997
- Elukhin V.A., Portnoy E.L., Avrutin E.A., Marsh J.H. // J. Cryst. Crowth. 1996. V. 173. P. 69
- Toulemonde M., Dufour C, Paumier E. // Physical Review B. 1992. V. 46. N 22. P. 14 362
- Vetter J., Scholz N., Angert N. // Nuclear Instrum. and Methods in Phys. Res. 1994 B91. P. 129
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук