Вышедшие номера
Особенности микроволнового пробоя высокотемпературной сверхпроводящей пленки на дефектах
Бузников Н.А.1, Пухов А.А.1
1Объединенный институт высоких температур. Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики РАН, Москва
Поступила в редакцию: 9 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Теоретически исследовано влияние несверхпроводящих дефектов на плотность мощности микроволнового пробоя высокотемпературной сверхпроводящей пленки. Установлено, что сценарий разрушения сверхпроводимости существенно зависит от формы дефекта, а также от отношения коэффициентов поглощения дефекта и пленки. Показано, что плотность мощности пробоя на дефекте может быть как больше, так и равна пороговой плотности мощности пробоя однородной пленки.