Прослежено за введением центров генерации носителей тока в чистом Si в идеологии взаимодействия неравновесных дефектов и носителей тока непосредственно в треке иона. Эксперимент на alpha-частицах с энергией 1.0-5.0 MeV дополнен результатами численного моделирования их торможения в Si. Показано, что первичные дефекты, возникшие в конце трека, образуют меньшее число генерационных центров. Это объясняется захватом компонентами пар Френкеля носителей тока, концентрация которых в треке имеет 3-кратное превышение к концу пробега. Происходящая перезарядка вакансий и межузельных атомов ускоряет и рекомбинацию и снижает число первичных дефектов, участвующих в последующем комплексообразовании.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.