Проведено исследование радиационной устойчивости внутренней памяти программируемых цифровых микросхем. Установлена повышенная чувствительность внутренней памяти микросхем, выполненных по технологии КМОП, к ионизирующему излучению при замыкании выводов микросхем между собой. Информация, записанная во внутреннюю память микросхем, стирается при поглощенной дозе, которая существенно меньше уровня, при котором сама микросхема выходит из строя. Предложено найденный эффект использовать как способ стирания информации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.