Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1998, выпуск 24 » Статья стр. 90
<<<
Фотолюминесценция n-GaN: влияние химической обработки поверхности в растворах сульфидов
Жиляев Ю.В.1, Компан М.Е.1, Коненкова Е.В.1, Мокеев А.С.1, Раевский С.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
PDF версия
Изложены результаты фотолюминесценции n-GaN (T=300 K) при химической обработке поверхности растворами неорганических сульфидов (Na2S и (NH4)2S) в воде или изопропиловом спирте. Показано, что интенсивность максимума спектра фотолюминесценции n-GaN возрастает после химической обработки поверхности растворами сульфидов в спиртах, причем это возрастание выше в растворах сульфида сильного основания (Na2S), чем в растворах сульфида слабого основания ((NH4)2S).
  1. Pearton S.J., Abernathy C.R., Ren F. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 15. P. 2294--2296
  2. Lin M.E., Fan Z.F., Ma Z., Allen L.H., Markoc H. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 7. P. 887--889
  3. Onkubo M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. L955--L957
  4. Mileham J.R., Pearson S.J., Abernathy C.R., Mackenzie Y.D., Shul R.J., Kilcoyne S.R. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N 8. P. 1119--1121
  5. Bykhovski A.D., Shur M.S. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 16. P. 2397--2399
  6. Wu C.I., Kahn A., Taskar N., Dorman D., Gallagher D. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 8. P. 4249--4252
  7. Sandroff C.J., Nottonburg R.N., Bischoff J.C., Shat R. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 1. P. 33--35
  8. Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 1. С. 46--50
  9. Bel'kov V.V., Botnaryuk V.M., Fedorov L.M., Goncharuk I.N., Novikov S.V., Ulin V.P., Zhilyaev Yu.V., Cheng T.S., Jeffs N.J., Foxon C.T., Katsavets N.I., Harrison I. // J. Crystal Growth. 1998. V. 187. P. 29--34
  10. Компан М.Е., Шабанов И.Ю. // ФТТ. 1997. Т. 39. N 7. С. 1165--1169
  11. Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. // ФТТ. 1997. Т. 39. N 1. С. 63--66
  12. Bessolov V.N., Lebedev M.V., Binh N.M., Friedrich M., Zahn D.R.T. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme