Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 1 » Статья стр. 75
<<<>>>
Регулярный рельеф на поверхности кремния как геттер структурных дефектов
Берман Л.С.1, Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Белякова Е.И.1, Ким Е.Д.1, Ким С.Ч.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
PDF версия
Исследовано влияние регулярного рельефа на поверхности кремния на геттерирование в структурах кремний-двуокись кремния. Регулярный рельеф создавался до окисления методом фотолитографии в виде ортогональной сети перекрещивающихся полос. Геттерирование определялось по изотермической релаксации емкости структуры кремний-двуокись кремния-алюминий после переключения от режима сильной инверсии к еще более сильной инверсии. Показано, что регулярный рельеф на границе раздела кремний-двуокись кремния является эффективным геттером на глубине нескольких сотен микрон.
  1. Kang J.S., Schroder D.K. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 8. P. 2974--2985
  2. Kim E.D., Kim S.C., Park J.M., Grekhov I.V. et al. // J. Electrochem. Soc. 1997. V. 144. N 2. P. 622--624
  3. Грехов И.В., Берман Л.С., Костина Л.С. et al. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 12
  4. Берман Л.С., Абдурахманов К.П., Власов С.И. и др. // Изв. АН Узбекской ССР. Сер. физ-мат. наук. 1980. N 5. С. 55--58
  5. Берман Л.С., Власов С.И. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. N 4. С. 374--376
  6. Sah C.T., Fu H.S. // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 11. N 1. P. 297--310
  7. Берман Л.С., Лебедев А.А. // Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  8. Zerbst M. // Zeischr. Angew. Phys. 1996. Bd22. H1. S. 30--33
  9. Zakharow A.K., Neizvestni I.G. // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. V. 30. N 1. P. 419--425

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme