Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетеропереходы на основе GaTe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 22 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов (ГП) In2O3-GaTe и GaTe-InSe. Их характеристики описаны в рамках диффузионной модели ГП. Для ГП In2O3-GaTe обнаружено отклонение характеристик от идеальных, вызванное присутствием на гетерогранице тонкого слоя диэлектрика. Построены качественные энергетические зонные диаграммы ГП. Определена их фоточувствительность, диапазон которой 0.33-1.0 mum.
- Dawar A.L., Joshi J.C. // J. Mater. Science. 1984. V. 19. P. 1--23
- Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2000--2002
- Малик А.И., Баранюк В.Б., Ковалюк З.Д. // ФТП. 1980. Т. 14. В. 2. С. 409--411.
- Довлетов К., Рагимов Ф. // ФТП. 1982. Т. 16. В. 9. С. 1631--1632
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М., 1975. 432 с
- Card H.C. // Sol. St. Eletronics. 1977. V. 20. N 12. P. 971--976
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relation-ships in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics. V. 17, sv.f / Ed. by O. Madelung. Berlin e.a.: Springer, 1983. 562 p
- Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 8. С. 1472--1475
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
