О применении пористых диэлектрических пленок для электронно-оптического преобразования изображения
Везиров Х.Н.1
1Институт фотоэлектроники АН Азербайджана, Баку
Поступила в редакцию: 21 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Экспериментально установлено, что в отличие от фотоэлектронного принципа разработанный принцип преобразования изображения позволяет при соответствующем подборе полупроводникового материала преобразовывать изображение в более широком диапазоне спектра. Так, созданный прибор обладал чувствительностью на длине волны 2 и 2.5 mum соответственно 5 и 2 mA/W.
- Бутслов М.М., Степанов Б.М., Фанченко С.Д. Электронно-оптические преобразователи и их применение в научных исследованиях. М.: Наука, 1978. 432 с
- Фоменко В.С. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев: Наук. думка, 1981. 340 с
- Гартман В., Бернгард Ф. Фотоэлектронные умножители. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1961. 208 с
- Соболева Н.А., Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. М.: Высш. школа, 1974. 327 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук