Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нестационарный фототок в кристалле Bi12SiO20, выращенном в атмосфере аргона
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Проведено детальное исследование нестационарного фототока в кристаллах со структурой силленита, выращенных в бескислородной (аргоновой) атмосфере. Определены основные параметры фотоиндуцированных носителей заряда в исследуемых кристаллах, такие как среднее время жизни, подвижность, средняя фотопроводимость, диффузионная длина переноса носителей, дебаевская длина экранирования.
- Petrov M.P., Sokolov I.A., Stepanov S.I., Trofimov G.S. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 2216--2225
- Трофимов Г.С., Степанов С.И. // ФТТ. 1986. Т. 28. В. 9. С. 2785--2789
- Petrov M.P., Stepanov S.I., Khomenko A.V.: Photorefractive crystals in Coherent Optical Systems. In T. Tamir (Ed): Springer Series in Optical Sciences, Volume 59, Springer Verlag, Berlin 1991
- Афанасьев Ю.Б., Куликов В.В., Мокрушина Е.В., Петров А.А., Соколов И.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. N 17. С. 28--33
- Sokolov I.A., Stepanov S.I. // Optik. 1993. V. 93. N 4. P. 175--182
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 c
- Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. N 6. P. 2652--2658
- Maлиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуцированные явления в силленитах. Новосибирск: Наука, 1990. 160 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
