Вышедшие номера
Нестационарный фототок в кристалле Bi12SiO20, выращенном в атмосфере аргона
Брюшинин М.А.1, Соколов И.А.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Проведено детальное исследование нестационарного фототока в кристаллах со структурой силленита, выращенных в бескислородной (аргоновой) атмосфере. Определены основные параметры фотоиндуцированных носителей заряда в исследуемых кристаллах, такие как среднее время жизни, подвижность, средняя фотопроводимость, диффузионная длина переноса носителей, дебаевская длина экранирования.