Выявлен механизм ультрафиолетовой лазерной абляции эпитаксиальных слоев GaN, в основе которого лежит диссоциация молекул GaN с образованием азотосодержащей летучей компоненты. Определены условия экспонирования, при которых происходит образование галлиевых нанокластеров на поверхности GaN. Найдены режимы эпитаксиального роста GaN, при которых происходит формирование паралельных микротеррас на поверхности образцов. На поверхности выращенных образцов с микротеррасами обнаружено образование галлиевых нанопроволок под воздействием мощного ультрафиолетового излучения. Предложено использовать описанные явления при разработке новых методик оптической ультрафиолетовой литографии и при создании оптоэлектронных приборов на основе GaN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.