Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние режимов формирования собственного оксида на свойства гетеропереходов оксид-p-InSe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 18 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Формирование гетеропереходов оксид-p-InSe путем термического окисления кристаллической подложки p-InSe выполнено при разных температурно-временных режимах. Измерениями вольт-амперных характеристик (ВАХ) подтверждено их высокое качество. Установлены оптимальные технологические условия их изготовления.
- Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 12. С. 70--72
- Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. В. 10. С. 1--3
- Chevy A., Kuhn A., Martin M.-S. // Cryst. Growth. 1977. V 38. N 1. P. 118--122
- Chevy A. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. N 4. P. 978--982
- Micocci G., Molendini M., Tepore A. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N 11. P. 6847--6853
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
