Каталитическое плазменное анодирование монокриcталлических структур 6H-SiC
Бибилашвили А.П.1, Герасимов А.Б.1, Казаров Р.Э.1, Самадашвили З.Д.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили
Поступила в редакцию: 19 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Использование каталитического плазменного анодирования для получения оксидов на поверхности SiC является оригинальным методом, ранее не применявшимся. Метод позволяет значительно понизить температуру процесса, увеличить скорость роста оксида и улучшить свойства полученных структур: низкую плотность поверхностных состояний и малую величину фиксированного заряда в оксиде.
- Brown D.M., Cati G. // Transactions Second International High Temperature Electronics Conference. 1994. V. 1. P. XI-17--XI-20
- Palmour J.W., Davis R.F., Kong H.S., Corcoran S.F., Griffis D.P. // Journal of the Electrochemical Society. 1989. V. 136. N 2. P. 502--507
- Golz A., Gros S., Janssen R., Stein von Kamienski E., Kuzz H. // Procceding of Simposium. Frontiers in Electronics: High Temperature and Large Area Applications. 1997. V. 59. P. 364--365
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук