Вышедшие номера
Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP cуперлюминесцентный диод
Пихтин Н.А.1, Ильин Ю.В.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Станкевич А.Л.1, Тарасов И.С.1, Фетисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

На базе InGaAsP/InP двойной гетероструктуры раздельного ограничения с широким профилем усиления созданы суперлюминесцентные диоды, обладающие высокой оптической мощностью (40 mW), широким спектром излучения (65 nm по полуширине), низкой глубиной модуляции (<1%). При непрерывном токе накачки 150 mA получен 1 mW суперлюминесцентного излучения на выходе одномодового оптического волокна.