Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе In0.2Ga0.8As квантовых ям
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 12 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
Разработаны и изготовлены полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором с высокой внешней квантовой эффективностью и большой мощностью излучения. На лазерах с апертурой 500 mum в импульсном режиме получена мощность до 10 W при T=300 K и 20 W при T=250 K.
- Huffaker D.L., Graham L.A., Deng H. et al. // IEEE Photonics Techn. Lett. 1996. V. 8. N 8. P. 974--976
- Huffaker D.L., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 11. P. 1449--1451
- Thibeault B.J., Bertilsson K., Hegblom E.R. et al. // IEEE Photonics Techn. Lett. 1997. V. 9. N 1. P. 11--13
- Grabherr M., Miller M., Jager R., Ebeling K.J. // Electronics Lett. 1998. V. 34. N 12. P. 1227--1228
- Morgan R.A., Kojima K., Asom M.T. et al. // Electronics Lett. 1993. V. 29. N 2. P. 206--207
- Yang G.M., Lim D.H., Kim J.H. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 1391--1393
- Geels R.S., Corzine S.W., Coldren L.A. // IEEE J. Quant. Electr. 1991. V. 27. N 6. P. 1359--1367
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
