Вышедшие номера
О механизмах термостабильности электрофизических свойств перекомпенсированного n-Si< B,S>
Юнусов М.С.1, Каримов М.1, Халиков П.А.1
1Институт ядерной физики АН РУ, Ташкент
Поступила в редакцию: 13 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Методом термоотжига исследовались образцы кремния с различными концентрациями серы. При этом установлено, что температура распада центров серы зависит от концентрации атомов серы (Ns) в перекомпенсированном кремнии. Причем с уменьшением расстояния между примесями (N-1/3s) температура распада повышается. Эффект объясняется особенностями распределения атомов компенсирующих примесей серы внутри области флуктуации, которые образуются в кремнии в процессе легирования.