О механизмах термостабильности электрофизических свойств перекомпенсированного n-Si< B,S>
Юнусов М.С.1, Каримов М.1, Халиков П.А.1
1Институт ядерной физики АН РУ, Ташкент
Поступила в редакцию: 13 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Методом термоотжига исследовались образцы кремния с различными концентрациями серы. При этом установлено, что температура распада центров серы зависит от концентрации атомов серы (Ns) в перекомпенсированном кремнии. Причем с уменьшением расстояния между примесями (N-1/3s) температура распада повышается. Эффект объясняется особенностями распределения атомов компенсирующих примесей серы внутри области флуктуации, которые образуются в кремнии в процессе легирования.
- Lemka H. // Phys. Stat. Sol. 1985. A92. N 2. P. K139--K143
- Lemke H. // Phys. Stat. Sol. 1985. A91. N 1. P. 143--152
- Lemke H. // Phys. Stat. Sol. 1987. A101. N 1. P. 193--203
- Бадалов А.З. // ФТП. 1972. Т. 6. N 5. С. 789--792
- Юнусов М.С., Каримов М. // ДАН АН УзССР. 1976. N 8. С. 19--21
- Юнусов М.С., Каримов М., Каримов А.А., Кочкаров Р.Х., Оксенгендле Б.Л. // ДАН АН УзСССР. 1991. N 3. С. 25--26
- Лебедев A., A., Соболев Н.А., Уринбаев Б.М. // ФТП. 1981. Т. 15. N 8. С. 1519--1522
- Кустов В.Е., Трипачко Н.А. Распад пересыщенного твердого раствора платины в кремнии. // В сб.: Свойства легированных полупроводниковых материалов. М.: Наука, 1990. С. 227--229
- Baleshta T.M., Keys J.D. //Amer. J. Phys. 1968. V. 36. P. 23--26
- Бацанов С.С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: СО АН СССР, 1962. 196 с
- Tanaka T., Inuishi J. // J. Phys. Soc. Japan. 1964. V. 19. N 2. P. 167--174
- Смирнов Л.С., Соловьев С.П., Стась В.Ф., Харченко В.А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск: Наука, 1981. 181 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук