Интегрально-оптический полупроводниковый датчик на основе призменного устройства связи
Хомченко А.В.1, Глазунов Е.В.1, Примак И.У.1, Редько В.П.1, Сотский А.Б.1
1Институт прикладной оптики НАН Беларуси, Могилев
Поступила в редакцию: 12 января 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.
Предложен интегрально-оптический полупроводниковый датчик, работающий при комнатных температурах. Чувствительный элемент датчика выполнен в виде тонкой пленки двуокиси олова, активированной сурьмой и нанесенной на призменный элемент связи. Исследована чувствительность структуры к примесям аммиака, парам спирта и ацетона. Диапазон регистрируемых концентраций аммиака составил 10-4-10-6%.
- Арутюнян В.М. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. В. 4. С. 337--355
- Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение. М.: Мир, 1989. 190 с
- Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 24. N 7. С. 57--60
- Примак И.У., Сотский А.Б., Хомченко А.В. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. N 3. С. 46--57
- Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализа на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука. 1979. 232 с
- Tuefenthaler K., Lukosz W. // Opt. Soc. of Am. B. 1996. V. 6. P. 209--220
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук