Формирование двухсторонней пористой структуры при электрохимическом травлении кремния методом Унно--Имаи
Зимин С.П.1, Преображенский М.Н.1, Зимин Д.С.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Институт микроэлектроники РАН, Ярославль
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Показано, что процесс формирования пористого кремния на анодной стороне кремниевой пластины при использовании метода жидкостного контакта сопровождается образованием модифицированного слоя на катодной стороне. Тонкий модифицированный слой обладает пористой структурой и может иметь толщину до нескольких микрон. Пористый слой на катодной стороне, в отличие от основного слоя пористого кремния, характеризуется высокой электропроводностью. Обнаружено наличие платины и родия по всей толщине исследуемого слоя. Описаны возможные области применения модифицированного слоя.
- Porous Semiconductors --- Science and Technology / Materials of the International Conference. Mallorca, Spain, 1998. 260 p
- Imai K., Unno H. // IEEE Trans. on Electron. Dev. 1984. V. ED-31. P. 297--302
- Foll H. // Appl. Phys. A. 1991. V. 53. P. 8--19
- Da Fonseca R.J.M., Saurel J.M., Foucaran A. et al. // Thin Solid Films. 1995. V. 225. P. 155--158
- Weiglein R.D. // IEEE Trans. 1985. SU-32 (2). P. 225--234
- Lehmann V. // J. Electrochem Soc. 1993. V. 140. P. 2836--2843
- Зимин С.П., Преображенский М.Н., Зимин Д.С. // Материалы V международной конференции "Высокие технологии в промышленности России". М., 1999. С. 225--229
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук