Периодический пробой газового слоя в структуре металл--газовый диэлектрик--изолирующий полупроводник--металл, при стационарном освещении структуры
Бондарев А.Д.1,2, Кашерининов П.Г.1,2, Лодыгин А.Н.1,2, Мартынов С.С.1,2, Хрунов В.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Проведено изучение размеров и расположения области газового пробоя на поверхности М(ГД)ПМ-структуры на кристалле силиката висмута при ее однородном освещении, а также определение величины поглощенной энергии излучения в кристалле, обусловливающей пробой газового слоя.
- Кашерининов П.Г., Лодыгин А.Н. // Письма в ЖТФ. 1997. T. 23. B. 4. С. 23
- Кашерининов П.Г., Лодыгин А.Н. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 22. С. 64
- Богородицкий Н.П., Пасынков В.В. Материалы в радиоэлектронике. М.: Госэнергоиздат, 1961. 352 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
