Для осаждения пленок нитридных соединений типа A₃B₅ на сапфировой подложке предлагается использовать буферный подслой из материала с кристаллической кубической структурой. Экспериментально показано, что, например, использование гетероэпитаксиального подслоя из ниобия для (0001) поверхности сапфировой подложки или подслоя из нитрида ниобия для (1120) Al₂O₃ позволяет устранить 30^o-ный разворот (0001) нитридной пленки в плоскости подложки. Устранение этого разворота значительно уменьшает рассогласование параметров решеток поверхностей подложки и нитридной пленки, что должно способствовать улучшению степени ее кристаллического совершенства. Кроме того, становятся параллельными плоскости естественного скола подложки и полупроводниковых нитридных пленок. Последнее позволяет изготавливать гетеролазер с резонатором Фабри-Перо, у которого зеркалами являются плоскости естественного скола пленок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.