Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомов водорода с поверхностью монокристалла сульфида цинка
Гранкин В.П.1, Шаламов В.Ю.1
1Приазовский государственный технический университет, Мариуполь
Поступила в редакцию: 27 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Представлен экспериментальный материал, демонстрирующий существенную роль электронного взаимодействия при диссипации энергии образования молекулы водорода (H + H-> H2) на ZnS.
- Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988. 320 с
- Волькенштейн Ф.Ф., Горбань А.Н., Соколов В.А. Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1976. 278 с
- Руфов Ю.Н., Кадушин А.А., Рогинский С.З. // Докл. АН СССР. 1966. Т. 171. N 4. С. 905--906
- Стыров В.В. // Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 15. В. 5. С. 242--245
- Гранкин В.П. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 14. С. 27--31
- Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. школа, 1982. 376 с
- Тюрин Ю.И. // Поверхность. 1986. N 9. С. 115--125
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук