Произведен расчет обратного тока полупроводникового диода с неоднородной базовой областью, в которой создан примыкающий к омическому контакту слой с большей шириной запрещенной зоны. Показано, что в таком диоде можно значительно уменьшить обратный ток, связанный с термической генерацией носителей как в базовой области, так и на контакте.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.