Сверхчувствительный лавинный фотоприемник с поверхностным переносом носителей заряда
Садыгов З.Я.1, Сулейманов М.К.1, Бокова Т.Ю.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна
Поступила в редакцию: 14 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Обсуждаются конструкция и принцип работы нового лавинного фотоприемника, содержащего кремниевую подложку, полупрозрачный для света титановый затвор, отделенный от полупроводника диэлектрическим слоем, и стоковый электрод, обеспечивающий поверхностный перенос умноженных носителей заряда вдоль границы раздела полупроводник-диэлектрик. Показана возможность создания многоэлементных лавинных фотоприемников, в том числе ПЗС-матрицы с внутренним усилением фотосигнала более чем в 104 раз.
- Гольбрайх Н.Н., Плотников А.Ф., Шубин В.Э. // Квантовая электроника. 1975. Т. 2. С. 2624--2627
- Вуль А.Я., Дидейкин А.Е., Косарев А.И. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. С. 15
- Гасанов А.Г., Садыгов З.Я. и др. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 8. С. 706--709
- Sadygov Z.Y. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. V. 43. N 3. P. 1009--1013
- Садыгов З.Я. Лавинный фотоприемник. Патент России N 2086047, приоритет от 30.05.96
- Садыгов З.Я. Физические процессы в лавинных фотоприемниках на основе структуры кремний--широкозонный слой. Дис. на соис. ... докт. физ-мат. наук. М.: МИФИ, 1997. С. 137.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук