Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов фторидов лития и натрия, активированных ураном
Слесарев А.И.1, Жамангулов А.А.1, Кидибаев М.М.1, Кортов В.С.1, Шульгин Б.В.1
1Уральский государственный технический университет, Екатеринбург Иссык-Кульский государственный университет им. К. Тыныстанова, Каракол, Кыргызская Республика
Поступила в редакцию: 16 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
Обнаружены новые высокотемпературные пики термостимулированной экзоэлектронной эмиссии для кристаллов (Li, Na)F-U, Me. Определены параметры термостимулированной экзоэлектронной эмиссии.
- Runciman W.A. // Nature. 1955. V. 175. N 4468. P. 39--47
- Феофилов П.П. // Опт. и спектр. 1959. Т. 7. В. 1. С. 126--128
- Каплянский А.А., Москвин Н.А. // Опт. и спектр. 1962. Т. 13. В. 4. С. 542--549
- Беляев Л.М., Добржанский Г.Ф., Феофилов П.П. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1961. Т. 25. N 4. С. 548--556
- Кидибаев М.М. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах (Li, Na)F--U, Me. Каракол--Екатеринбург. Иссык-Кульский государственный университет, Уральский государственный технический университет, 1999. 220 с. (ISBN 5--230--06574--5)
- Кортов В.С., Исаков В.Г., Слесарев А.И. и др. // Дефектоскопия. 1996. N 1. С. 50--59
- Исаков В.Г., Главатских И.А., Кортов В.С. // Дефектоскопия. 1998. N 12. С. 14--27
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук