Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О механизмах токопрохождения в гетероструктурах n+-CdS-p-InP-p+-InP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.
Исследованы механизмы токопереноса в температурном интервале 100-300 K. Установлено, что прямые токи определяются либо туннелированием через локальные центры (низкие температуры), либо рекомендацией в слое пространственного заряда. Обратные токи связаны с туннелированием через локальные центры и с прямым межзонным туннелированием. Гетеропереходы имеют туннельный механизм пробоя.
- Ito K., Ohsawa T. // Jap. J. Appl. Phys. 1975. V. 14. P. 1259
- Waqner S., Shay J.L., Bachman K.J., Buchler E. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. P. 229
- Chynoweth A.Q., Feldmann W.L., Loqan R.A. // Phys. Rev. 1961. V. 121. P. 684
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
