Вышедшие номера
О механизмах токопрохождения в гетероструктурах n+-CdS-p-InP-p+-InP
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1, Малинин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Исследованы механизмы токопереноса в температурном интервале 100-300 K. Установлено, что прямые токи определяются либо туннелированием через локальные центры (низкие температуры), либо рекомендацией в слое пространственного заряда. Обратные токи связаны с туннелированием через локальные центры и с прямым межзонным туннелированием. Гетеропереходы имеют туннельный механизм пробоя.