Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ионно-лучевого геттерирования на параметры GaAs-транзисторных структур при нейтронном облучении
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 28 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.
Обнаружено, что негативное влияние нейтронного облучения на параметры полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе эпитаксиального арсенида галлия существенно ослабляется, если предварительно в структуры со стороны подложки имплантировались ионы аргона. Эффект объясняется дальнодействующим геттерированием при ионном облучении примесей и дефектов в активных областях транзисторов, с которыми связано возникновение глубоких уровней под действием нейтронов.
- Зулиг Р. // Арсенид галлия в микроэлектронике. М.: Мир, 1988. С. 500--547
- Оболенский С.В., Скупов В.Д., Фефелов А.Г. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 16. С. 50--53
- Demarina N.V., Obolensky S.V. // Microelectronics Reliability. 1999. Т. 39. С. 1247--1263
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
- Новиков В.А., Пешев В.В. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 4. С. 411--416
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 5. С. 503--509
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
