Вышедшие номера
Влияние ионно-лучевого геттерирования на параметры GaAs-транзисторных структур при нейтронном облучении
Оболенский С.В.1, Скупов В.Д.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2000 г.

Обнаружено, что негативное влияние нейтронного облучения на параметры полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе эпитаксиального арсенида галлия существенно ослабляется, если предварительно в структуры со стороны подложки имплантировались ионы аргона. Эффект объясняется дальнодействующим геттерированием при ионном облучении примесей и дефектов в активных областях транзисторов, с которыми связано возникновение глубоких уровней под действием нейтронов.