Высокотемпературная краевая люминесценция слоев селенида кадмия кубической модификации
Махний Е.В.1, Слетов М.М.1
1Черновицкий государственный университет
Поступила в редакцию: 19 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследованы электрические и люминесцентные свойства слоев beta-CdSe, полученных методом реакций твердофазного замещения. Показано, что в температурном диапазоне 290-450 K доминирует краевая полоса излучения, которая обусловлена аннигиляцией свободных экситонов при их неупругом рассеянии на свободных носителях заряда. Определены энергии связи экситонов и оптических фононов, а также ширина запрещенной зоны и температурный коэффициент ее изменения.
- Свечников С.В. Элементы оптоэлектроники. М.: Сов. радио, 1971. 162 с
- Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A2B6. Кишинев: Штиинца, 1980. 155 с
- Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений A2B6. Л.: Изд. ЛГУ, 1978. 311 с
- Физика и химия соединений AIIBVI/ Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. 624 с
- Березовский М.М., Махний Е.В. // ФТТ. 1996. Т. 38. N 2. С. 646
- Махнiй О.В., Сльотов М.М. // Наук. вiсник Чернiвецького ун-ту. Фiзика. 1998. В. 32. С. 67
- Makhniy O.V., Slyotov M.M., Sobischanskiy B.M. // Abstr. bookl. Third Internat. School-Conf. "Phys. Probl. in Mater. Science of Semicond". Chernivtsi, Ukraine, 1999. P. 142
- Махнiй В.П., Махнiй О.В., Сльотов М.М., Фодчук I.М. // Наук. вiсник Чернiвецького ун-ту. Фiзика. Електронiка 1999. В. 66. С. 20
- Koh Era, Langer D.V. // J. Luminescence. 1970. V. 1--2. P. 514
- Вавилов В.С., Нолле Э.Л. // Экситоны в полупроводниках. М.: Наука, 1968. 119 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук