Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения
Орлов А.М.1, Скворцов А.А.1, Клементьев А.Г.1, Синдяев А.В.1
1Ульяновский государственный университет
Поступила в редакцию: 3 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Анализируются фото- и термостимулированные адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности пористого кремния в процессе естественной и высокотемпературной деградации. Методами адсорбционной ИК-спектроскопии, люминесцентной спектроскопии и Оже-спектрального анализа установлено, что активное изменение морфологии пористого кремния продолжается длительное время (более 74 суток) после его формирования и сопровождается перераспределением адсорбированных молекул в пользу кислорода, углерода и, предположительно, ОН-группы. Высокотемпературная (1149 K) обработка пористого кремния в парах ацетона способствует образованию карбонизированного слоя с присущим ему спектром фотолюминесценции с максимумом интенсивности в области 458 nm. ИК-спектроскопия указывает на присутствие фазы карбида кремния, которая может быть идентифицирована как кубическая модификация beta-SiC с типичным для нее значением nu~ 800... 833 cm-1. Сильный сдвиг высокочастотного крыла ИК-спектра поглощения объясняется заменой одного из атомов кислорода в трехцентровой связке O-Si-O на углерод.
- Gullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.G. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 3. P. 909--965
- Kanemitsu Yoshihiko // J. Cristallogr. Soc. Jap. 1996. V. 38. N 2. P. 144--150
- Qin G.G., Song H.Z., Zhang B.R. et al. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. N 4. P. 2548--2555
- Chang C.S., Lue J.T. // Thin Solid Films. 1995. V. 259. N 2. P. 275--280
- Zoubir N. Hadj, Vergnat M., Delatour T. et al. Natural oxidation of annealed chemicalli etched porous silicon: / Pap. Present. Eur. Mater. Res. Soc. Spring. Conf.: Symp. F.: Porous Silicon and Relat. Mater., Strasbourg. May 24--27, 1994 // Thin Solid Films. 1995. V. 255. N 1--2. P. 228--230
- Shimuzu-Iwayama T., Terao Y., Kamiya A. et al. // Nanosruct. Mater. 1995. V. 5. N 3. P. 307--318
- Кашкаров П.К., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 8. С. 1479--1490
- Быковский Ю.А., Караванский В.А., Котковский Г.Е. и др. // Поверхность. 1999. N 9. С. 23--29
- Копылов А.А., Холодилов А.Н. // ФТП. 1997. Т. 31. N 5. С. 556--558
- Полупроводники / Под ред. Н.Б. Хеннея. Пер. с англ. под ред. Б.Ф. Ормонта. М.: ИЛ, 1962. 668 с
- Румак Н.В., Хатько В.В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике / Под ред. В.Е. Борисенко. Минск: Навука i тэхнiка, 1990. 191 с
- Джон Р. Дайер Приложения абсорбционной спектроскопии органических соединений / Пер. с англ. В.Т. Иванова. М.: Химия, 1970. 164 с
- Вавилов В.С., Кисилев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. 216 с
- Yong Sun Tatsuro Miyasato // Jpn. J. Appl. Phis. 1998. V. 37. P. 5485--5489
- Орлов А.М., Синдяев А.В. // ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 6. С. 135--137
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук