Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2001, выпуск 8 » Статья стр. 26
<<<>>>
Спектральные и вольт-амперные характеристики Si--Si1-xGex гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии
Саидов А.С.1, Кутлимратов А.1, Сапаев Б.1, Давлатов У.Т.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 1 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
PDF версия
Рассмотрены спектральные и вольт-амперные характеристики (ВАХ) Si-Si1-xGex гетероструктур, полученных на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии. Приведены зависимости длинноволновой границы их фоточувствительности от состава варизонного твердого раствора. Показана возможность использования варизонных твердых растворов в качестве переходных буферных слоев между кремниевой подложкой и структурой, получаемой из другого полупроводникового материала. Такие структуры вполне успешно могут быть использованы в качестве составного элемента, преобразующего часть ИК солнечного излучения в структурах каскадных солнечных элементов, а также фотоприемников для волоконно-оптических линий связи, регистрирующих световые сигналы с длиной волны lambda=1.33 и 1.5 mum.
  1. Лидоренко Н.С., Евдокимов В.М. // Гелиотехника. 1994. N 1. С. 3--10
  2. Wetting W. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1995. V. 38. P. 487--500
  3. Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 5--6. С. 57--67
  4. Саидов А.С., Сапаев Б., Кошчанов Э.А., Сапаров Д.В. // ДАН РУз. 1994. N 11. С. 18--19
  5. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаев Б., Каражанов С.Ж. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 2. С. 256--259
  6. Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Сапаев Б., Каражанов С.Ж., Сапаров Д.В. // ФТП. 1996. Т. 30. В. 6. С. 1036--1038
  7. Техника оптической связи: Фотоприемники: Пер. с англ. / Под. ред. У. Тсанга. М.: Мир, 1988. 526 с
  8. Саидов А.С., Сапаев Б. // ДАН РУз. 1989. N 3. С. 24--25
  9. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Уч. для вузов по спец. "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". М.: Выш. шк., 1987. 239 с
  10. Зи C. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 1 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
  11. Donnelly J.P., Milnes A.G. // Solid State Electron. 1966. V. 9. P. 174
  12. Van Opdorp C., Vrakking J. // Solid State Electron. 1967. V. 10. P. 955

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme