Зарядовое состояние окисного слоя SIMOX-структур
Аскинази А.Ю.1, Барабан А.П.1, Дмитриев В.А.1, Милоглядова Л.В.1
1С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.
С помощью метода послойного профилирования, основанного на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик в системе электролит-диэлектрик-полупроводник в сочетании со стравливанием диэлектрического слоя, установлено, что при формировании SIMOX-структур в окисном слое вблизи с границей с Si образуются дефекты, ответственные за положительный заряд. Исследовано изменение зарядового состояния данных структур под действием электрического поля, излучения из области ближнего ультрафиолета и низкотемпературного отжига.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Afanas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G. // J. Appl. Phуs. 1997. V. 82. N 5. P. 2184--2199
- Stahlbush R.E., Campisi G.J. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. NS-39. P. 2086--2097
- Stoemenos J., Garcia A. et al. // J. Electrochem. Soc. 1995. V. 142. N 4. P. 1248--1260
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук