Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кристаллизация слоев полупроводниковых твердых растворов Ge1-xSnx из жидкой фазы
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Email: atvi@physic.ursci.net
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.
Методом жидкостной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращены эпитаксиальные слои твердого раствора Ge1-xSnx на подложках германия в температурном интервале 740-450oC. На основании анализа результатов рентгенодифрактометрического и морфологического исследований образцов установлен оптимальный режим роста кристаллически совершенных пленок.
- Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Узбекский физический журнал. 1997. N 1. С. 16--17
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 2. С. 12--16
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
