Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение микроморфологии поверхности эпитаксиальных слоев кремния на сапфире при облучении рентгеновским излучением "допороговых" энергий
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: spm@phys.unn.runnet.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Методом атомно-силовой микроскопии обнаружено изменение микрорельефа поверхности гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире (КНС) после импульсного облучения рентгеновскими лучами с энергией E=< 140 keV.
- Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с
- Адонин А.С., Беспалов А.В., Китиченко Т.С. и др. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. N 4. С. 279--295
- Оболенский С.В., Скупов В.Д. // Поверхность. 2000. N 5. С. 75--79
- Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. // УФН. 1985. Т. 147. В. 3. С. 523--558
- Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
- Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наук. думка, 1979. 336 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
