Электролюминесценция в диапазоне 1.55--1.6 mum диодных структур с квантовыми точками на GaAs
Жуков А.Е.1, Воловик Б.В.1, Михрин С.С.1, Малеев Н.А.1, Цацульников А.Ф.1, Никитина Е.В.1, Каяндер И.Н.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Диодные структуры на подложках GaAs с активной областью на основе латерально-связанных квантовых точек InAs, сформированных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии, демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 1.55-1.6 mum при температуре 20-260 K.
- Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. R41--R54
- Steinle G., Riechert H., Egorov A.Yu. // Electron Lett. 2001. V. 37 (2). P. 93--94
- Lott J., Ledentsov N., Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A., Kovsh A.R., Maximov M.V., Volovik B.V., Alferov Zh.I., Bimberg D. // IEEE LEOS 13th Annual Meeting. 13--16 November 2000. Rio Grande, Puerto Rico. IEEE catalog number: OOCH37080. 2000. P. 304--305
- Jackson A.W., Naone R.L., Dalberth M.J., Smith J.M., Malone K.J., Kisker D.W., Klem J.F., Choquette K.D., Serkland D.K., Geib K.M. // Electron. Lett. 2001. V. 37 (6). P. 355--356
- Sopanen M., Xin H.P., Tu C.W. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76 (8). P. 994--996
- Ungaro G., Le Roux G., Teissier R., Harmand J.C. // Electron. Lett. 1999. V. 35 (15). P. 1246--1248
- Fischer M., Reinhardt M., Forchel A. // Electron. Lett. 2000. V. 36 (14). P. 1208--1209
- Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V., Bedarev D.A., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Bert N.A., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Soshnikov I.P., Werner P. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75 (16). P. 2347--2349
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.