Температурная зависимость квантовой эффективности фотодиодов Шоттки на основе 4H--SiC
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Калинина Е.В.1, Константинов О.В.1, Константинов А.О.1, Hallen A.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург ACREO AB, Electrum 236,SE Kista, Sweden KTH Electrum, Department of Electronics, Kista, Sweden
Поступила в редакцию: 29 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
На основе чистого эпитаксиального слоя n-4H-SiC (Nd-Na=4· 1015 cm-3) изготовлены структуры металл-полупроводник, которые позволили создать фотоприемники ультрафиолетового излучения с максимумом фоточувствительности при 4.9 eV и квантовой эффективностью до 0.3 el/ph. Спектр фоточувствительности структур оказался близким к спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Экспериментальное изучение температурной зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования показало, что при энергиях фотонов 3.4-4.7 eV и температурах, больших 300 K, имеет место быстрый рост квантовой эффективности с ростом температуры, что обусловлено участием фононов в непрямых межзонных переходах. Этот участок роста пропадает, когда энергия фотона близка к пороговой энергии прямых оптических переходов в непрямозонном полупроводнике, что дает возможность оценить ее величину (~ 4.9 eV).
- Boston Electronic Corp, SiC-UV-detectors, Catalog, 1996
- Wahab Q., Kimoto T., Ellison A., Hallin C., Tuominen M., Yakimova R., Henry A., Bergman J.P., Janzen E. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N 4. P. 445--447
- Lee S.-K., Zetterling C.-M., Ostling M. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N 11. P. 8039--8044
- Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А., Литвин Д.П., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Санкин В.И. // ФТП. 1992. Т. 26. В. 6. С. 1008--1014
- Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Косов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О., Онушкин Г.А. // Тез. докл. III Международного семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Великий Новгород, ISSCRM-2000. С. 70--71
- Goldberg Yu.A., Konstantinov O.V., Obolensky O.I., Petelina T.V. (Blank), Posse E.A. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11. P. 455--463
- Properties of Advanced Semiconductor Materials / Ed. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. John Wiley and Sons, 2000. V. 3. 157 p
- Persson C., Lindefelt U. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. N 11. P. 5496--5508
- Казаринов Р.Ф., Константинов О.В. // ЖЭТФ. 1961. Т. 43. В. 3. С. 936--945.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук