Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование медленнорелаксирующего заряда в пассивирующих покрытиях на основе свинцово-боросиликатных стекол методом изотермической релаксации емкости
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан 
Email: pavel@phys.silk.org
Поступила в редакцию: 12 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Методом изотермической релаксации емкости определена величина эффективного поверхностного заряда в пассивирующих покрытиях на основе свинцово-боросиликатных стекол. Установлено, что повышение температуры формирования исследованных покрытий ведет к увеличению значений эффективного поверхностного заряда. Показано, что данная зависимость обусловлена увеличением концентрации центров захвата носителей заряда при повышении содержания кристаллической фазы в объеме стекла.
- Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в интегральной микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. 368 с
- Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1984. 288 с
- Власов С.И., Парчинский П.Б., Насиров А.А. и др. // ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 8. С. 141--142
- Берман Л.С. // ФТП. 1997. Т. 31. N 1. С. 78--81
- Chung J.E., Muller R.S. // Sol. St. Electron. 1989. V. 12. N 10. P. 867--882
- Парчинский П.Б., Власов С.И., Насиров А.А. и др. // Микроэлектроника. 1997. Т. 26. N 1. С. 62--63
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. (Пер. с англ. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices. NY: John Wiley \& Sons, 1981)
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с. (Пер. с англ. Mott N.F., Davis E.A. Electronic processes in non-cristalline materials. Oxford: Clarendon press, 1971)
- Бехштед Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. М.: Мир, 1990. 488 с. (Пер. с англ. Bechsted F., Enderlein R. Semiconductor Surface and Interface. Berlin: Akademie--Verlag, 1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
